キオクシアホールディングス

285A / IFRS / 3月期

表示期間の途中で会計基準が変わっています(2020年度は日本基準、2021年度以降はIFRS)。

2020年度は連結財務諸表を作成しておらず、単体の数字です。

東証プライム電気機器一次資料ベース
収録 37 / 43 指標

下の「他の会社と比べる」で会社Bを選ぶと、ここに2社目が並び、グラフの系列と表の行が増えます。

当社及びその子会社(以下「当社グループ」という。)は、本書提出日現在、当社及び連結子会社22社(国内7社、海外15社)により構成されています。当社グループは、メモリ及び関連製品の製造、販売、研究開発、その他サービスを行っています。当社グループ及び関連会社等6社(国内4社、海外2社)は、メモリ及び関連製品の製造、販売、研究開発、その他サービスを行う、世界最大級(注)のフラッシュメモリ専業プレイヤーです。有価証券報告書【事業の内容】より(2026年6月提出)

同業2社と並べて動かす半導体の順位を再生

数字で見るキオクシアホールディングス

2025年度の売上収益は23,376億円で、売上収益を比べられる東証上場3,585社のうち81番目、電気機器225社のうち12番目の大きさです。平均年間給与は1,306.6万円(2025年度・提出会社単体)で、電気機器223社のうち4番目。平均年齢は46.2歳、平均勤続年数は13.9年です。

事業の大きさと稼ぐ力

売上収益23,376億円全体で上位2%(3,585社中)電気機器では12番目(225社中)2025年度
当期利益5,545億円全体で上位1%(3,684社中)電気機器では3番目(225社中)2025年度
営業利益率逆算37.2%電気機器の中央値 6.8%(222社)2025年度
ROE51.9%電気機器の中央値 7.4%(224社)2025年度
自己資本比率37.9%電気機器の中央値 61.0%(225社)2025年度

働く人の数字

平均年間給与1,306.6万円全体で上位2%(3,658社中)電気機器では4番目(223社中)2025年度
平均年齢46.2歳電気機器の中央値 43.3歳(223社)2025年度
平均勤続年数13.9年電気機器の中央値 16.0年(223社)2025年度
従業員数(連結)15,218人電気機器の中央値 1,785人(225社)2020→2025年度で+13,133.0%(計算値)2025年度

順位は大きい順。平均年齢と平均勤続年数は大きいほうが良いとは言えないため、順位を付けずに業種の中央値と並べています。利益率・ROE・自己資本比率は業種による違いが大きいため、同じく業種の中央値と並べています。 平均年間給与・平均年齢・平均勤続年数は提出会社(単体)ベース、従業員数は連結ベースです。評価・推奨ではありません。

他の会社と比べる

会社Bを選ぶと、下のグラフ・事業の構成・推移表に2社目が並びます。会社Aを変えると、そのままほかの会社のページに切り替わります。

入力は収録済みの企業一覧との照合にのみ使われます。

キオクシアホールディングスと同業2社を、ダッシュボードで並べるニデック・リコーと、売上・営業利益・平均年間給与などの推移を重ねて比べられます

▶ 半導体業界の上場企業の順位の入れ替わりを再生する →

01

業績の推移

指標を選ぶとグラフが入れ替わります。会社Bを入れると系列が2本になります。

▶ ニデック・リコーと3社で重ねる(決算ダッシュボード)→

02

事業の構成と内容

有価証券報告書【セグメント情報等】からの売上構成比。会社Bを入れると横に並びます。

キオクシアホールディングス 最新期の売上構成比

有価証券報告書に事業の区分の記載がありません(単一セグメント)。

キオクシアホールディングスの事業の内容(有価証券報告書の記載)

当社及びその子会社(以下「当社グループ」という。)は、本書提出日現在、当社及び連結子会社22社(国内7社、海外15社)により構成されています。当社グループは、メモリ及び関連製品の製造、販売、研究開発、その他サービスを行っています。当社グループ及び関連会社等6社(国内4社、海外2社)は、メモリ及び関連製品の製造、販売、研究開発、その他サービスを行う、世界最大級(注)のフラッシュメモリ専業プレイヤーです。

(注) 出典:TechInsights Inc.“NAND Market Report Q1 2026”による。2025年4月から2026年3月におけるビット生産量ベース(Sandiskグループの生産量を含む。)

なお、当社は、有価証券の取引等の規制に関する内閣府令第49条第2項に規定する特定上場会社等に該当しており、これにより、インサイダー取引規制の重要事実の軽微基準については連結ベースの数値に基づいて判断することとなります。

当社グループの報告セグメントは「メモリ事業」単一でありますが、売上収益を製品の用途に応じたアプリケーション別に、「SSD & ストレージ」、「スマートデバイス」及び「その他」に区分しております。「SSD & ストレージ」には主にPC、データセンター、エンタープライズ向けSSD製品及びメモリ製品が含まれております。「スマートデバイス」にはスマートフォン、タブレット、テレビ等の民生機器、車載、産業機器等の用途で使用される制御機能付きの組み込み式メモリ製品が含まれています。「その他」にはSDメモリカード、USBメモリ等のリテール向け製品及び製造合弁会社3社経由で計上されるSandiskグループ向けの売上収益等が含まれています。

当社グループ及び関連会社等各社の報告セグメントにおける位置付けと製品分野別の事業内容は以下のとおりです。

(本書提出日現在)

報告セグメント / 当社及び関係会社の位置付け

製造 / 販売 / 研究開発 / その他サービス

メモリ事業 / キオクシア㈱、キオクシア岩手㈱、キオクシアエンジニアリング㈱、キオクシアエネルギー・マネジメント㈱、キオクシア半導体台湾社、Solid State Storage Technology Corporation、フラッシュパートナーズ㈲、フラッシュアライアンス㈲、フラッシュフォワード合同会社、ディー・ティー・ファインエレクトロニクス㈱ / キオクシア㈱、キオクシアアメリカ社、キオクシアヨーロッパ社、キオクシア中国社、キオクシア韓国社、キオクシアシンガポール社、キオクシア台湾社、Solid State Storage Technology Corporation / キオクシア㈱、キオクシアエンジニアリング㈱、キオクシアシステムズ㈱、キオクシアテクノロジーUK社、キオクシアイスラエル社、Solid State Storage Technology Corporation / キオクシアエトワール㈱

当社グループのメモリ事業が開発・製造・販売しているNAND型フラッシュメモリとは、当社グループが1987年に発明し世界標準となった不揮発性半導体メモリ(注1)であり、大容量のデータ保存を可能にする記憶用デバイスです。スマートフォンで写真・動画などを保存するために使われるほか、身近な電子機器やデータセンター等においても、欠かすことのできないコアデバイス(基幹部品)となっています。当社グループは市場の要求に応えるために、フラッシュメモリの微細化(注2)による大容量化、及びコスト低減を推進してきました。もっとも、極度の微細化には電子同士が干渉しエラーが起きやすくなるという課題がありました。そこで当社グループではメモリセルを積み上げることで干渉を防ぐ積層化技術(注3)により、大容量化と信頼性の向上、低消費電力化を実現したBiCS FLASH™を開発しました。本書提出日現在は第8世代BiCS FLASH™を量産しています。第8世代BiCS FLASH™には、高メモリ密度の実現により高性能動作を図るため、CBA(CMOS directly Bonded to Array)(注4)とOPS(On Pitch SGD)(注5)という新技術が用いられています。近年、フラッシュメモリ市場においては、データセンター、エンタープライズ向けSSDの需要が拡大しており、これまで以上に大容量化、信頼性の向上、低消費電力化が求められています。当社グループは、更なる大容量化、高速化に向けた次世代の半導体メモリの開発も進めています。

フラッシュメモリチップは、当社グループの四日市工場及び北上工場において製造しています。半導体は材料となるシリコンウエハー上に微細な集積回路を作りこむため工程は数百に及び、製造プロセスの効率化は至上命題です。四日市工場及び北上工場では、生産効率の向上と生産コストの低減に向けた生産ラインの自動化を徹底しており、特に四日市工場では2022年10月に竣工した四日市第7製造棟を含む6つの製造棟を棟間搬送で連結する統合生産体制を確立しております。さらに、高い生産効率を実現するため、開発と量産の拠点一体化、AI・ビッグデータを活用したスマートファクトリー化も進めております。

また、今後も続くと想定される3次元フラッシュメモリの需要に継続的に対応するため、BiCS FLASH™の生産能力の増強を目的として、2022年4月から北上工場第2製造棟(K2棟)の建設を開始し、2025年9月に稼働を開始しております。四日市既存製造棟と同様に、地震の揺れを吸収する免震構造を採用するとともに、最新の省エネ製造設備の導入や再生可能エネルギーの利用などで環境面も重視した工場となっております。また、四日市工場とともに人工知能(AI)を活用した生産システムの導入などを推進し、全社製造オペレーションの生産性及びフラッシュメモリ製品の品質をさらに向上させます。今後も大容量化に向けた技術開発、生産体制の拡大、コントローラ(ICチップ/ファームウェア)開発等の強化により、技術力とコスト競争力の両面における長期的な優位性の確保に努めてまいります。

なお、当社グループは、Sandiskグループとの間で製造合弁契約を締結し、キオクシア株式会社とSandiskグループが共同出資する製造合弁会社3社を設立しています。合弁契約に基づき、製造合弁会社3社が当社グループ及びSandiskグループからの資金借り入れ又は製造合弁会社3社によるリース契約により生産設備を調達し、当社グループの四日市工場及び北上工場に設置、キオクシア株式会社が製造合弁会社3社から製造委託を受け、無償貸与された生産設備にて生産をしております。当社グループとSandiskグループは、合弁事業を通じて四日市工場と北上工場の生産能力合計の約80%を共有し、当社グループが残りの約20%を単独で所有しています。合弁契約に基づき、当社グループとSandiskグループは、それぞれ製造合弁会社3社が所有する生産能力の各半分(すなわち、上記2工場の生産能力合計の各約40%)を割り当てられている一方、当社グループは上記2工場の運営を行い、製造ノウハウを有しています。また、当社グループは、製造合弁会社3社各社の議決権の50.1%を所有しており、IFRSに基づく共同支配事業として、その資産、負債、収益及び費用の50%を連結財務諸表に計上しています。なお、当社グループ及びSandiskグループは、2026年1月に四日市工場におけるこの製造合弁会社の契約期間を、従来の2029年12月31日から2034年12月31日に5年間延長しました。この契約期間延長にあわせて、契約条件も見直し、当社グループは、Sandiskグループに対する製造サービスの対価として、2026年から2029年にかけて、合計11億6,500万米ドルを受領する予定です。これにより、当社グループはSandiskグループとの合弁事業を当社グループが提供する戦略的及び技術的価値、並びに生産プロセスが創出するNAND市場での付加価値の対価を反映したモデルへと転換しました。

SSD & ストレージの主要製品であるSSD(Solid State Drive)は、半導体メモリ(フラッシュメモリ)を記憶素子とするストレージ製品です。HDDに比べて読み出し性能、衝撃・振動等の耐環境性、静寂性に優れ、待機時の消費電力が低いことも特徴の一つです。AIを搭載したスマートフォンやPC、データセンターを含むAI関連の機器やサービスの普及等により、今後も成長が見込まれています。当社グループはクライアント及びエンタープライズ製品において最先端PCIe®製品を他社に先駆けて上市し、市場における優位性を確立しているものと認識しています。また、自社製フラッシュメモリを活用し、一般汎用品から高付加価値品まで幅広いラインアップを展開しています。

スマートデバイスにおいては、スマートフォン、タブレット、ウェアラブルデバイス、テレビ等の民生機器、車載、産業機器など、幅広いアプリケーションで利用される制御機能付きの組み込み式メモリ製品群に注力しています。特にスマートフォン向けメモリ製品の市場は依然として規模が大きく、成長しているアプリケーションであり、当社グループにとって重要なマーケットとなっております。

また、その他には、SDメモリカード、USBメモリ等のリテール向け製品及び製造合弁会社3社経由で計上されるSandiskグループ向けの売上収益等が含まれます。

今後も製品ラインアップの強化とサポート体制の強化により、市場でのプレゼンス向上を目指します。

出典:有価証券報告書【事業の内容】(2026年6月提出・S100YJ18)。事業系統図は省いています。

03

キオクシアホールディングスのグループの関係

親会社と、主な子会社・関連会社。有価証券報告書の【関係会社の状況】から作っています。上場している会社は、その会社の有報の数字を並べています。

主な子会社の業績

2025年度
  • キオクシアアメリカ社議決権 100.0%

    売上
    11,009億円
    経常利益
    189億円
    当期純利益
    158億円
    純資産
    443億円
  • キオクシア中国社議決権 100.0%

    売上
    3,828億円
    経常利益
    103億円
    当期純利益
    79億円
    純資産
    128億円
  • キオクシア台湾社議決権 100.0%

    売上
    2,927億円
    経常利益
    73億円
    当期純利益
    71億円
    純資産
    76億円

連結売上の10%を超える子会社は、有価証券報告書【関係会社の状況】の注記に損益が載ります。子会社単体の数字で、グループ内の取引を含みます。円以外の通貨で書かれたものは載せていません。

そのほかの主な子会社

  • キオクシア㈱100.0%メモリ・SSD製品の研究、開発、設計、製造及び販売等
  • キオクシア岩手㈱100.0%メモリ製品の製造
  • キオクシアエンジニアリング㈱100.0%メモリ製品の開発、設計、製造及びCIM開発等のエンジニアリング業務受託
  • キオクシアエネルギー・マネジメント㈱100.0%エネルギーマネジメント事業
  • キオクシアシステムズ㈱100.0%メモリ製品の設計・開発、顧客サポート等
  • キオクシアエトワール㈱100.0%開発センター清掃業務、ヘルスキーパー
  • キオクシアアメリカ社100.0%メモリ・SSD製品の販売売上 11,009億円・経常利益 189億円
  • キオクシアヨーロッパ社100.0%メモリ・SSD製品の販売
ほか8社
  • キオクシアテクノロジーUK社100.0%SSD製品の開発
  • キオクシアイスラエル社100.0%SSD製品向けソフトウェアの開発
  • キオクシア中国社100.0%メモリ・SSD製品の販売
  • キオクシア韓国社100.0%メモリ・SSD製品の販売
  • キオクシアシンガポール社100.0%メモリ・SSD製品の販売
  • キオクシア台湾社100.0%メモリ・SSD製品の販売
  • キオクシア半導体台湾社100.0%メモリ後工程における生産外注委託品の生産管理
  • Solid State Storage Technology Corporation100.0%SSD製品の製造、販売及び研究開発

連結子会社 22社(有報に社名が載る主な会社は16社)。持分法適用関連会社など 6社。子会社の割合は議決権の所有割合(間接所有を含む)。上場していない子会社の売上・利益が載るのは連結売上の10%を超える会社だけで、従業員数と平均年間給与は有価証券報告書に載りません。

04

中期経営計画

会社が開示資料に書いたことを、そのまま引用しています。評価・予想・推奨は含みません。

中期経営計画

一次資料ベース

2024年11月22日に長期財務モデルを策定し、Non-GAAP営業利益率20%台半ば、GB当たり年間コスト削減率10%台半ば、SSD市場シェア15%超、設備投資は売上収益の20%以内(周期的市況における平均)、財務レバレッジ(ネット有利子負債/LTM Non-GAAP EBITDA)は中期で1.0倍未満、長期でネット・キャッシュとした。2025年6月5日の「AI時代における中長期戦略について」でも、このモデルのとおり営業利益20%台半ばを目指すとしている。会社は、長期財務モデルは特定の事業年度の見込みや計画を示したものではないとしている。

中期経営計画・決算説明資料より

トップメッセージ

一次資料ベース
「『記憶』から新しい価値を創造し、AI社会の発展と社会課題の解決に貢献します」

代表取締役社長 太田裕雄(トップメッセージ・2026-09-26閲覧)から引用

キオクシアホールディングス 長期財務モデル

指標区分長期財務モデル
出荷量成長率(記憶容量ベース)前提フラッシュメモリ市場の成長率と同等
GB当たり年間コスト削減率長期10%台半ば
SSD市場シェア長期15%超
Non-GAAP営業利益率長期20%台半ば
設備投資(対売上収益比率)周期的市況における平均20%以内
ネット有利子負債/LTM Non-GAAP EBITDA中期1.0倍未満
ネット有利子負債/LTM Non-GAAP EBITDA長期ネット・キャッシュ(0.0倍未満)

表中の数値は連結財務諸表上の数値ではなく、監査の対象外。会社は、長期財務モデルは将来の特定の事業年度の見込みや計画、業績予想を示したものではないとしている。2025年6月5日の「AI時代における中長期戦略について」では、Net Debt/EBITDAを中期的に1.0倍以下、長期的にネットキャッシュとする目標を示している。

出典:長期財務モデルについて(ニュースリリース) 2024-11-22公表

ほかの会社の数値目標(ROEの目標の分布など) →

05

株主と配当

配当の方針、株主優待、大株主を、有価証券報告書の記載のまま並べています。評価・推奨ではありません。

キオクシアホールディングスの配当政策

当社は、期末配当及び中間配当のほか、基準日を定めて剰余金の配当を行うことができる旨及び会社法第459条第1項の規定に基づき、剰余金の配当にかかる決定機関を取締役会とすることができる旨を定款に定めております。

なお、当社の定款の規定上、普通株主に先立って、甲種優先株式及び乙種優先株式(社債型優先株式)の株主は剰余金の配当及び残余財産の分配を受けることができるとされております。ただし、2025年7月25日にすべての甲種優先株式及び乙種優先株式は取得及び消却されましたので、現在発行済みの甲種優先株式及び乙種優先株式はございません。

当社は、流動性の確保や将来に向けた成長投資等を考慮し、その上で余剰となる累積フリー・キャッシュ・フローを、更なる成長投資と株主還元に使用する予定です。株主還元の一部は、累進配当政策とする検討を開始しております。

有価証券報告書【配当政策】より(2026年6月提出)

キオクシアホールディングスの株主優待

2026年6月提出の有報

「株主に対する特典」は「該当事項はありません。」と記載されています。

有価証券報告書【提出会社の株式事務の概要】「株主に対する特典」の記載です。提出日時点の内容で、その後に変わっていることがあります。最新の内容は会社の発表で確かめてください。

キオクシアホールディングスの大株主(上位10名)

2026年3月末
キオクシアホールディングスの大株主
順位株主持株比率(%)
1株式会社東芝17.59
2BCPE Pangea Cayman2, Ltd.14.17
3BCPE Pangea Cayman 1A, L.P.4.91
4GOLDMAN SACHS INTERNATIONAL3.74
5日本マスタートラスト信託銀行株式会社(信託口)3.16
6BNY GCM CLIENT ACCOUNT JPRD AC ISG (FE-AC)2.97
7MSIP CLIENT SECURITIES2.26
8株式会社日本カストディ銀行(信託口)1.47
9BCPE Pangea Cayman 1B, L.P.1.41
10BCPE Pangea Cayman, L.P.1.38

有価証券報告書【大株主の状況】より。持株比率は、発行済株式(自己株式を除く)に対する割合です。上位10名の合計は53.06%。信託銀行の名義には、投資信託や年金などの資金がまとめて入っています。

06

主要な指標の推移(最大14期)

表示する指標をチェックで選べます。逆算 が付く指標は、開示値から計算したものです。

表示する指標を選ぶ(5 / 47)閉じる

選択中 5 指標 / 候補 47 指標(有価証券報告書・決算説明資料・逆算)

損益

財務

資本効率

キャッシュ

株主還元

人的資本

投資

← 横にスクロールできます →

主要な指標の推移
指標20122013201420152016201720182019202020212022202320242025
売上収益億円————————5415,26512,82110,76617,06523,376
営業利益億円—————————2,162-990-2,5274,5178,704
営業利益率%—————————14.2-7.7-23.526.537.2
当期利益億円————————101,059-1,381-2,4372,7235,545
EPS円————————-19.4204.7-266.9-471.0520.01,024.1

空欄は「未収録」です。会社が開示していないか、まだ読み込んでいないかのどちらか。推計値では埋めません。

推移は、有価証券報告書の冒頭にある【主要な経営指標等の推移】から5期分ずつ取っています。売上高・経常利益・純利益・純資産・総資産・自己資本比率・1株情報・従業員数などが1つの表に並んでいるので、3期分の有報で最大14期そろいます。

07

人的資本

有価証券報告書の【従業員の状況】から取れる数字と、そこからの逆算。投資の観点でも、企業研究の観点でも同じ表を見ることになります。

1人当たり売上高153.6百万円2025年度・逆算
1人当たり営業利益57.2百万円2025年度・逆算
平均年齢46.2歳2025年度
平均勤続年数13.9年2025年度

平均年間給与は提出会社(単体)ベースです。連結全体の数字ではありません。従業員数は連結ベースなので、この2つは母集団が違います。割り算をするときはその点に注意してください。

08

会社の概要と沿革

代表者
代表取締役 早坂 伸夫
本店の所在地
東京都港区芝浦三丁目1番21号
決算期
3月
市場・業種
東証プライム / 電気機器

有価証券報告書の表紙と【役員の状況】より(2026年6月提出)。

キオクシアホールディングスの沿革

  1. 当社は、東芝メモリ株式会社(現キオクシア株式会社)からの単独株式移転により、2019年3月1日に設立されました。当社は2019年10月1日に東芝メモリホールディングス株式会社からキオクシアホールディングス株式会社に社名を変更しました。
  2. 東芝メモリ株式会社(以下「旧東芝メモリ株式会社」という。)は、2017年2月に株式会社東芝の100%子会社として設立後、株式会社東芝の社内カンパニーであるストレージ&デバイスソリューション社のメモリ事業(フラッシュメモリ及び関連製品(SSD事業を含み、イメージセンサ事業を除く。))を会社分割により承継しました。旧東芝メモリ株式会社は、2018年8月1日に親会社である株式会社Pangeaを合併存続会社とする吸収合併を実施するとともに、株式会社Pangeaは東芝メモリ株式会社に社名変更しました。更に、2019年10月1日の当社の社名変更に伴い、社名をキオクシア株式会社に変更しました。キオクシアとは、日本語の「記憶(KIOKU)」と、ギリシャ語の「価値(AXIA)」に由来します。メモリ事業を担う企業グループとして、デジタル社会の未来を加速し、世界に新たな価値を創造していきます。
  3. 以下では、旧東芝メモリ株式会社及びキオクシア株式会社の沿革についても記載しております。また、旧東芝メモリ株式会社設立前と設立以後に分けて記載し、設立前については株式会社東芝における旧東芝メモリ株式会社の事業に関係する事項について参考情報として記載しています。
  4. 当社の事業運営主体の変遷を図示すると、次のようになります。
  5. (1)旧東芝メモリ株式会社設立前(参考情報)
  6. 1987年2月世界初のNAND型フラッシュメモリを発明
  7. 1991年11月NAND型フラッシュメモリの製品化
  8. 1992年1月四日市工場(三重県)を設立
  9. 2000年5月Sandiskグループ(注1)とフラッシュメモリについて協業を開始
  10. 2001年11月多値技術を利用した160ナノメートル(以下「nm」という。)1ギガビットNAND(2ビット/セル(MLC))を製品化
  11. 2001年12月汎用DRAM事業の撤退を決定
  12. 2002年4月四日市工場でフラッシュメモリを生産するため、Sandiskグループと共同出資でフラッシュビジョン㈲(注2)を設立
  13. 2005年2月四日市工場で300 mmクリーンルームである第3製造棟を稼動
  14. 2007年6月3次元フラッシュメモリ技術(注3)を開発
沿革の続き(あと72件・2025年まで)
  1. 2007年9月四日市工場第4製造棟の竣工
  2. 2009年2月4ビット/セル(QLC)をSandiskグループと共同開発
  3. 2011年7月㈱東芝の社内カンパニーとして、セミコンダクター&ストレージ社(メモリ・SSD事業含む)を設置
  4. 2011年7月四日市工場第5製造棟の竣工
  5. 2014年4月15 nmプロセスを用いた128ギガビットNAND型フラッシュメモリを量産
  6. 2015年3月48層積層プロセスを用いたBiCS FLASH™のサンプル出荷開始
  7. 2016年4月社内カンパニー名をストレージ&デバイスソリューション社に変更
  8. 2016年7月四日市工場の新第2製造棟の竣工
  9. 2016年7月64層積層プロセスを用いた第3世代BiCS FLASH™のサンプル出荷開始
  10. 2017年1月メモリ事業分社化の方針決定
  11. 2017年2月64層積層プロセスを用いた512ギガビットBiCS FLASH™のサンプル出荷開始
  12. (注)1.2000年にSanDisk Corporationと協業を開始しました。同社はWestern Digitalグループと統合後、SanDisk Limited Liability Companyに組織変更しました。
  13. 2025年2月、Western Digitalグループのフラッシュメモリ事業が分社してSandisk Corporationとして米Nasdaqに上場しました(以下Sandisk Corporationとその関係会社を合わせて「Sandiskグループ」という。)。この分社に伴い、フラッシュメモリ事業に係る資産や契約等はSandiskグループが承継し、その一環として、当社との契約や製造合弁会社の持分等もSandiskグループが承継しました。
  14. 2.同社は2013年2月に清算しております。
  15. 3.3次元フラッシュメモリ技術とは、垂直方向にフラッシュメモリ素子を積み上げる3次元積層構造を取り入れる技術をいい、それを取り入れたフラッシュメモリを3次元フラッシュメモリといいます。3次元フラッシュメモリは、従前の平面構造のフラッシュメモリと比べて大容量化、高速化、信頼性向上、省電力化を実現しております。
  16. (2)旧東芝メモリ株式会社設立以後
  17. 2017年2月㈱東芝のメモリ・SSD事業の承継を目的として、旧東芝メモリ㈱を設立
  18. 2017年4月㈱東芝から、㈱東芝の社内カンパニーであるストレージ&デバイスソリューション社のメモリ事業(SSD事業を含み、イメージセンサ事業を除く)を会社分割により承継
  19. 2017年4月㈱東芝からの株式譲受により、国内会社3社(注1)海外会社3社(注2)を関係会社化
  20. 2017年5月64層積層プロセスを用いたBiCS FLASH™を搭載したNVMe™(注3)SSD(「XG5シリーズ」)の出荷を開始
  21. 2017年5月香港地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝メモリアジア社(現キオクシアアジア社)を設立
  22. 2017年5月北米及び南米地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝メモリアメリカ社(現キオクシアアメリカ社)を設立
  23. 2017年6月4ビット/セル(QLC)技術を用いたBiCS FLASH™を開発、試作品の提供開始
  24. 2017年6月96層積層プロセスを適用した第4世代BiCS FLASH™を試作
  25. 2017年6月シリコン貫通電極(TSV)技術を適用した3ビット/セル(TLC)のBiCS FLASH™の試作品の提供開始
  26. 2017年7月欧州地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝エレクトロニクス・ヨーロッパ社(注4)が東芝メモリヨーロッパ社(現キオクシアヨーロッパ社)を設立
  27. 2017年7月連結子会社である東芝メモリアジア社が東芝エレクトロニクス・アジア社(注4)よりメモリ関連事業を譲受
  28. 2017年7月ASEAN地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝メモリシンガポール社(現キオクシアシンガポール社)を設立
  29. 2017年7月韓国地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝メモリ韓国社(現キオクシア韓国社)を設立
  30. 2017年8月64層積層プロセスを用いたBiCS FLASH™を搭載した業界初のエンタープライズSSD(「PM5シリーズ」「CM5シリーズ」)のサンプル出荷開始
  31. 2017年9月中国地域でのメモリ製品拡販を目的として、連結子会社の東芝エレクトロニクス(中国)社(現キオクシア中国社)が東芝電子部品(上海)社を設立
  32. 2017年9月連結子会社である東芝メモリ韓国社(現キオクシア韓国社)が東芝エレクトロニクス韓国社(注4)よりメモリ関連事業を譲受
  33. 2017年9月岩手県北上市の北上工業団地エリアに新規拠点の立ち上げを発表
  34. 2017年10月東芝エレクトロニクス・ヨーロッパ社(注4)から、東芝メモリヨーロッパ社(現キオクシアヨーロッパ社)の全持分を取得し連結子会社化
  35. 2017年10月東芝メモリアメリカ社(現キオクシアアメリカ社)が東芝アメリカ電子部品社(注4)よりメモリ関連事業を譲受
  36. 2017年10月東芝電子部品(上海)社が東芝エレクトロニクス(中国)社よりメモリ関連事業を譲受
  37. 2017年10月東芝メモリシンガポール社(現キオクシアシンガポール社)が東芝エレクトロニクス・アジア社(注4)よりメモリ関連事業を譲受
  38. 2017年10月東芝メモリアメリカ社(現キオクシアアメリカ社)による東芝アメリカ電子部品社からのメモリ関連事業の譲受及び東芝メモリヨーロッパ社(現キオクシアヨーロッパ社)の連結子会社化に伴い、SSD関連事業を目的とするOCZイスラエル(現キオクシアイスラエル社)、OCZストレージソリューションズ(現キオクシアテクノロジーUK社)を連結子会社化
  39. 2017年11月東芝メモリ台湾社(現キオクシア台湾社)の株式を東芝デバイス&ストレージ㈱(注4)より取得し連結子会社化
  40. 2017年12月岩手県北上市における製造拠点の立ち上げに向けて、東芝メモリ岩手㈱(現キオクシア岩手㈱)を設立
  41. 2018年1月㈱東芝からの株式譲受により、フラッシュアライアンス有限会社、フラッシュフォワード合同会社、フラッシュパートナーズ有限会社の3社(以下「製造合弁会社3社」という。)(注5)を関連会社化
  42. 2018年1月旧東芝メモリ㈱グループの開発センター清掃業務及びヘルスキーパーを目的として、東芝メモリエトワール㈱(現キオクシアエトワール㈱)を設立
  43. 2018年4月64層積層プロセスを用いたBiCS FLASH™を搭載したデータセンター向けSSDのラインアップ拡充
  44. 2018年6月㈱東芝は、旧東芝メモリ㈱の全株式をBain Capital Private Equity, L.P.(そのグループを含む)を軸とする企業コンソーシアムにより組成される買収目的会社である㈱Pangeaへ譲渡
  45. 2018年7月サーバー向けの新しいコンセプトのSAS SSDの発売
  46. 2018年8月㈱Pangeaは、同社を存続会社として旧東芝メモリ㈱と合併し、同日に「東芝メモリ㈱」に社名変更(現キオクシア㈱)
  47. 2018年9月四日市工場の第6製造棟とメモリ開発センターの竣工
  48. (注)1.東芝メモリアドバンスドパッケージ株式会社(2019年10月にキオクシアアドバンスドパッケージ株式会社に商号変更を実施、2021年4月にキオクシア株式会社に吸収合併)、東芝メモリシステムズ株式会社(現キオクシアシステムズ株式会社)(いずれも連結子会社)、ディー・ティー・ファインエレクトロニクス株式会社(持分法適用関連会社)の3社です。
  49. 2.東芝エレクトロニクス中国社(現キオクシア中国社)、東芝メモリ半導体台湾社(現キオクシア半導体台湾社)、他1社の3社です。
  50. 3.NVMe™はNVM Express, Inc.の商標です。
  51. 4.株式会社東芝の関係会社です。
  52. 5.当社グループへの製造委託等を目的とする、キオクシア株式会社とSandiskグループが共同出資する会社です。
  53. (3)当社設立以後
  54. 2019年3月東芝メモリ㈱(現キオクシア㈱)からの単独株式移転により、東芝メモリホールディングス㈱(現キオクシアホールディングス㈱)を設立
  55. 2019年5月大容量データへの高速アクセスに対応した2テラバイトのクライアントSSDプレミアムモデル(XG6-P)の開発
  56. 2019年6月㈱日本政策投資銀行に対する非転換社債型優先株式の発行及び金融機関からのシンジケートローンによる資金調達を実行
  57. 2019年8月ストレージクラスメモリ「XL-FLASH™」のサンプル出荷開始
  58. 2019年8月新しいリムーバブルPCIe®(注1)/NVMe™メモリデバイス「XFMEXPRESS™」を開発
  59. 2019年8月台湾・LITE-ON社のSSD事業の買収計画を公表
  60. 2019年10月ブランド名称をキオクシアに刷新したことに伴い、当社を含むグループ会社の社名変更(注2)
  61. 2019年10月キオクシア㈱北上工場(岩手県)第1製造棟の竣工
  62. 2020年1月112層積層プロセスを適用した第5世代BiCS FLASH™を試作
  63. 2020年3月キオクシア㈱は、東芝中国社(注3)より、キオクシア中国社の株式を譲受、完全子会社化
  64. 2020年3月キオクシア㈱は、東芝電子部品(上海)社の保有株式を全て東芝デバイス&ストレージ㈱(注3)に売却
  65. 2020年7月キオクシア㈱は、台湾・LITE-ONテクノロジー社の子会社であるSolid State Storage Technology Corporationとその関係会社の全株式を取得
  66. 2021年2月162層積層プロセスを適用した第6世代BiCS FLASH™を試作
  67. 2021年4月キオクシア㈱は、キオクシアアドバンスドパッケージ㈱を吸収合併
  68. 2021年9月PCIe® 4.0対応ストレージクラスメモリ(SCM)搭載SSDをサンプル出荷
  69. 2022年1月4ビット/セル(QLC)技術を用いたUFS Ver. 3.1準拠の組み込み式フラッシュメモリをサンプル出荷
  70. 2022年6月キオクシア㈱は、東芝デジタルソリューションズ㈱(注3)より、中部東芝エンジニアリング㈱の株式を譲受、完全子会社化、キオクシアエンジニアリング㈱に社名変更
  71. 2022年10月四日市工場第7製造棟の竣工
  72. 2022年11月大容量ストレージを活用した記憶検索型AIによる画像分類技術を開発
  73. 2023年3月218層積層プロセスを適用した第8世代BiCS FLASH™を試作
  74. 2023年6月横浜テクノロジーキャンパスFlagship棟と新子安テクノロジーフロントの稼働開始
  75. 2023年8月キオクシアエネルギー・マネジメント㈱をキオクシア㈱からの会社分割により設立
  76. 2023年8月エンタープライズ・データセンター向けPCIe® 5.0対応NVMe™ SSDのサンプルを出荷
  77. 2024年1月車載機器向けUFS Ver.4.0準拠の組み込み式フラッシュメモリのサンプルを出荷
  78. 2024年4月メモリ技術研究所を再編し、先端技術研究所を新設
  79. 2024年7月第8世代BiCS FLASH™ 2Tb QLC製品をサンプル出荷
  80. 2024年12月東京証券取引所プライム市場に株式を上場
  81. 2025年2月4.8Gb/秒のNANDインターフェーススピードを実現する3次元フラッシュメモリ技術を発表
  82. 2025年7月生成AI向け245.76 TB NVMe™エンタープライズSSDのサンプルを出荷
  83. 2025年9月北上工場第2製造棟の稼働開始
  84. (注)1.PCIe®は、PCI-SIGの登録商標です。PCIe®とは、SSDのインターフェースの規格で、従来のSATAより、高速のデータ転送が可能です。
  85. 2.キオクシアテクノロジーUK社は2019年7月、キオクシアイスラエル社は2019年8月、キオクシア中国社は2020年2月にそれぞれ社名変更となっております。
  86. 3.株式会社東芝の関係会社です。

有価証券報告書【沿革】より(2026年6月提出・S100YJ18)。会社が書いたとおりに載せています。

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一次資料 開示資料に記載のある値 逆算 開示された値から計算した値 デモ 画面確認用の仮データ

  1. 有価証券報告書 計2本(EDINET)から収録。1本に5期分の【主要な経営指標等の推移】が載るため、重複する年度は新しい報告書の値を採用している。docID: S100W440、S100YJ18一次資料
  2. 長期財務モデルは、2024年11月22日のニュースリリース「長期財務モデルについて」と、2025年6月5日の「AI時代における中長期戦略について」から収録。一次資料

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