KOKUSAI ELECTRIC

6525 / IFRS / 3月期
東証プライム電気機器一次資料ベース
収録 40 / 43 指標

下の「他の会社と比べる」で会社Bを選ぶと、ここに2社目が並び、グラフの系列と表の行が増えます。

当社グループは、当社及び連結子会社7社で構成され、半導体製造装置の開発・製造・販売・保守サービスを中心にグローバルに事業活動を展開しております。当社グループは、半導体製造装置事業の単一セグメントであるため、ビジネスユニットごとに分類して記載いたします。有価証券報告書【事業の内容】より(2026年6月提出)

同業2社と並べて動かす半導体・液晶の製造装置の順位を再生

数字で見るKOKUSAI ELECTRIC

2025年度の売上収益は2,351億円で、売上収益を比べられる東証上場3,585社のうち580番目、電気機器225社のうち53番目の大きさです。2020年度から2025年度までの売上収益の年平均成長率は+5.7%です。平均年間給与は960.7万円(2025年度・提出会社単体)で、電気機器223社のうち21番目。平均年齢は44.1歳、平均勤続年数は18.0年です。

事業の大きさと稼ぐ力

売上収益2,351億円全体で上位16%(3,585社中)電気機器では53番目(225社中)2020→2025年度で年+5.7%(計算値)2025年度
当期利益301億円全体で上位9%(3,684社中)電気機器では32番目(225社中)2025年度
営業利益率逆算17.8%電気機器の中央値 6.8%(222社)2025年度
ROE14.5%電気機器の中央値 7.4%(224社)2025年度
自己資本比率61.0%電気機器の中央値 61.0%(225社)2025年度

働く人の数字

平均年間給与960.7万円全体で上位8%(3,658社中)電気機器では21番目(223社中)2025年度
平均年齢44.1歳電気機器の中央値 43.3歳(223社)2025年度
平均勤続年数18.0年電気機器の中央値 16.0年(223社)2025年度
従業員数(連結)2,609人電気機器の中央値 1,785人(225社)2020→2025年度で+28.2%(計算値)2025年度

順位は大きい順。平均年齢と平均勤続年数は大きいほうが良いとは言えないため、順位を付けずに業種の中央値と並べています。利益率・ROE・自己資本比率は業種による違いが大きいため、同じく業種の中央値と並べています。 平均年間給与・平均年齢・平均勤続年数は提出会社(単体)ベース、従業員数は連結ベースです。評価・推奨ではありません。

他の会社と比べる

会社Bを選ぶと、下のグラフ・事業の構成・推移表に2社目が並びます。会社Aを変えると、そのままほかの会社のページに切り替わります。

入力は収録済みの企業一覧との照合にのみ使われます。

KOKUSAI ELECTRICと同業2社を、ダッシュボードで並べるメイコー・ダイヘンと、売上・営業利益・平均年間給与などの推移を重ねて比べられます

▶ 半導体・液晶の製造装置業界の上場企業の順位の入れ替わりを再生する →

01

業績の推移

指標を選ぶとグラフが入れ替わります。会社Bを入れると系列が2本になります。

▶ メイコー・ダイヘンと3社で重ねる(決算ダッシュボード)→

02

事業の構成と内容

有価証券報告書【セグメント情報等】からの売上構成比。会社Bを入れると横に並びます。

KOKUSAI ELECTRIC 最新期の売上構成比

有価証券報告書に事業の区分の記載がありません(単一セグメント)。

KOKUSAI ELECTRICの事業の内容(有価証券報告書の記載)

当社グループは、当社及び連結子会社7社で構成され、半導体製造装置の開発・製造・販売・保守サービスを中心にグローバルに事業活動を展開しております。当社グループは、半導体製造装置事業の単一セグメントであるため、ビジネスユニットごとに分類して記載いたします。

(1)装置ビジネス

当社グループでは、半導体の製造に使用する装置の製造及び販売を行っております。半導体の製造プロセスの概略図を(図-1)に示します。半導体は、シリコンウェーハ上に、回路を形成していく工程を繰り返して製造していきます。回路形成工程は、回路形成に必要な薄膜等を形成する成膜工程、成膜後に熱をかけて結晶サイズを揃える(アニール)等の熱処理工程、成膜上に回路を形成するパターニングを行うリソグラフィ工程、パターンに沿って膜を取り除くエッチング工程、各工程間でウェーハを洗浄する洗浄工程、各工程間での検査工程で構成されます。シリコンウェーハ上にこれらの工程を繰り返して回路を形成する製造工程を総称して前工程と呼んでおります。そして、前工程の工程ごとに高度な専用技術を要したさまざまな装置が使用されることで半導体が製造されます。当社グループでは、前工程における「成膜」工程の装置を主力製品として、また「熱処理」工程に用いられる装置の製造及び販売をしております。

図-1 半導体製造前工程と主な当社グループ適応製品「成膜」工程とは、シリコンウェーハの回路形成における回路素材となるポリシリコン膜や絶縁膜等の薄膜を形成する工程を指します。当社グループでは、その成膜工程の中でLP-CVD製品のほかに、ALD(注1)に対応した製品を提供しております。

一方、「熱処理」工程とは、熱酸化(注2)膜を形成するプロセスや、成膜後に加熱して膜中の結晶サイズを揃える(アニール)プロセス、成膜後に注入した不純物を加熱して均一に拡散するプロセス、また、プラズマを用いて成膜後に膜質を改善する(トリートメント)プロセスなどを指します。当社グループでは、本工程に最適なプロセス技術にて装置提供を行っております。

これらの工程は、シリコンウェーハの回路形成において重要な役割を担うことから、各装置に、高度な技術と品質の信頼性の高い製品提供が必要となります。

当社グループが装置メーカーとして取り組んでいる最も重要な課題に、デバイス構造の複雑化を原因とする成膜プロセスの生産性の低下があります。三次元(立体)構造になるとデバイスの構造がより深く、複雑になります。それにより成膜が必要な表面積が拡大し、ガスの移動距離が長くなり、成膜に要する時間が増加するため、生産性の課題が顕在化します。また、デバイス構造の複雑化に伴い、難易度の高い高品質成膜が要求されており、ALDのニーズが高まっております。当社グループは、このニーズに高難易度成膜と高生産性の両立できるバッチALD技術で、顧客の厳しい要求仕様に応えております。このバッチALD技術は、当社のコア技術による競合優位性の高い技術となっており、当社グループは高いシェアを持続しております。

顧客からのニーズが高まっているALDはサイクリックなプロセスであり、そのプロセスの中でガスの流入や流出、また膜質を維持するために副産物の除去を行うため時間を要するプロセスになってしまうことが大きな課題になっております。ALD技術とバッチの組み合わせによる補完関係を実現した当社グループのバッチALD技術は、高難易度成膜と高生産性の両立を可能とするものであり、生産性に関するALDの問題の論理的な解決策となります。

次に当社製品について以下にご紹介いたします。当社の主な製品であるバッチ成膜装置は、2025年のバッチALD対応装置市場において売上高世界シェア1位(出典:TechInsights Inc. “TI_ALD Tools_YEARLY” (April 2026))となっております。また、当社の枚葉プラズマトリートメント装置が属するPlasma Gate Modification Tools市場でも2025年の売上高世界シェア1位(出典: Gartner®, Market Share: Semiconductor Wafer Fab Equipment, Worldwide, 2025, Bob Johnson et al. Published 2 April 2026)(注3)となっております。

それぞれの製品についてご説明します。

① バッチ成膜装置

バッチ成膜装置とは、数十枚以上のシリコンウェーハを一括処理することを可能とした成膜装置であり、高生産性が特徴となります。バッチ成膜装置には、高生産性を追究しウェーハ最大二百枚の一括処理に対応した「ラージバッチ」プラットフォーム(図-2 主要製品概要参照)と、複雑化する半導体構造への難易度が高い高品質成膜に対応し、ウェーハ最大百枚の一括処理に対応した「ミニバッチ」プラットフォームがあります。

このバッチ成膜装置のプラットフォームに使途に応じた反応炉をセットし、最適なプロセスを実現しております。「成膜」工程では、「LP-CVD」「ALD」など、「熱処理」工程では「熱酸化」「アニール」「拡散」などに適応しております。

なお、バッチ成膜装置の主力製品であるAdvancedAce®シリーズ及びTSURUGI® 剱®シリーズの概要は下記のとおりです。

・AdvancedAce®シリーズ:当社のコア技術である温度制御技術、自動搬送技術、真空・ガス置換技術、冷却技術、成膜技術を結集することで、高品質な成膜性能と高生産性を実現し、バッチCVD技術とバッチALD技術に対応したサーマルプロセス装置。

・TSURUGI® 剱®シリーズ:次世代デバイス、特に三次元(立体)デバイスに向けた成膜品質向上の市場ニーズにこたえるため、新反応炉を採用した成膜処理技術向上により、最新のバッチALD技術に対応し高品質・高生産性を備えたプロセス提供を可能にしたサーマルプロセス装置。

② 枚葉プラズマトリートメント(膜質改善)装置

枚葉プラズマトリートメント装置は、成膜後にプラズマや加熱により膜中の不純物の除去や粒子を安定させることで膜質を改善させることを目的とした装置です。半導体デバイスの微細化、複雑化に伴い低温環境での成膜需要が高まる中で、低温環境でも膜質を維持するソリューションとして需要が拡大しております。

当社グループで製造・販売している枚葉プラズマトリートメント装置の「MARORA®」は複雑な半導体形状に対しても高い生産性と品質でのトリートメントが可能で、顧客からの需要を集めており、バッチ成膜装置に次ぐ柱として今後も成長させていく計画です。

(注1)当社グループでは、複数のガスをサイクリックに供給する工程を伴い、原子層レベルで成膜する手法を「ALD」と呼んでおります。

(注2)シリコン基板表面から内部にかけて高純度の酸化をする方法。熱酸化には、ドライ酸化、ウエット酸化などいくつかの方法があります。

(注3)GARTNERは、Gartner Inc.または関連会社の米国およびその他の国における登録商標およびサービスマークであり、同社の許可に基づいて使用しています。All rights reserved. Gartnerは、Gartnerリサーチの発行物に掲載された特定のベンダー、製品またはサービスを推奨するものではありません。また、最高のレーティング又はその他の評価を得たベンダーのみを選択するようにテクノロジーユーザーに助言するものではありません。Gartnerリサーチの発行物は、Gartnerリサーチの見解を表したものであり、事実を表現したものではありません。Gartnerは、明示または黙示を問わず、本リサーチの商品性や特定目的への適合性を含め、一切の責任を負うものではありません。本書に記載するGartnerのコンテント (以下「Gartnerコンテント」) は、Gartnerシンジケート・サブスクリプション・サービスの一部としてGartner, Inc.(以下「Gartner」)が発行したリサーチ・オピニオンまたは見解を表すものであり、事実を述べているものではありません。Gartnerコンテントの内容はいずれも、そのコンテントが発行された当時の内容であり、本書が発行された日の内容ではありません。また、Gartnerコンテントに記載されている見解は予告なく変更されることがあります。

図-2 主要製品概要

(2)サービスビジネス

当社グループでは、当社グループが製造・販売する半導体製造装置において部品販売・保守サービスをはじめとするアフターサービスの提供を行っております。半導体生産工場においては、半導体製造装置が年中無休で稼働しており、半導体製造装置に対し安定的な稼働とともに、耐久性が高い製品の提供が要求されております。当社グループにおいては、これら品質を担保した製品の提供を行っておりますが、これに加え、迅速、かつ、的確にアフターサービスを提供する体制が求められております。

当社グループでは、このような顧客の要望に応えるべく、より顧客の製造拠点に近い場所にて、サービス拠点を設置したうえで、優秀なエンジニアを配置するとともに、交換パーツを配備することで、装置トラブルに迅速、かつ、的確に対応可能な体制を整えております。

取り扱いサービス(役務提供を含む)

① / 消耗部品等の部品販売、 保守サービス、有償修理 (現地修理/ユニット引取り修理/オーバーホール等)

② / 装置の移設・改造 (プロセス変更/アップグレード等)

③ / ウェーハサイズ200mm以下の レガシー装置(新規・中古)販売

出典:有価証券報告書【事業の内容】(2026年6月提出・S100YJUA)。事業系統図は省いています。

03

KOKUSAI ELECTRICのグループの関係

親会社と、主な子会社・関連会社。有価証券報告書の【関係会社の状況】から作っています。上場している会社は、その会社の有報の数字を並べています。

主な子会社の業績

2025年度
  • Kook Je Electric Korea Co., Ltd.議決権 100.0%

    売上
    537億円
    当期純利益
    88億円

連結売上の10%を超える子会社は、有価証券報告書【関係会社の状況】の注記に損益が載ります。子会社単体の数字で、グループ内の取引を含みます。円以外の通貨で書かれたものは載せていません。

そのほかの主な子会社

  • 株式会社国際電気セミコンダクターサービス100.0%半導体製造装置事業
  • Kook Je Electric Korea Co., Ltd.100.0%半導体製造装置事業売上 537億円
  • 科意半導体没備(上海)有限公司100.0%半導体製造装置事業
  • Kokusai Electric Asia Pacific Co., Ltd.100.0%半導体製造装置事業
  • Kokusai Semiconductor Equipment Corporation100.0%半導体製造装置事業
  • Kokusai Semiconductor Europe GmbH100.0%半導体製造装置事業
  • Kokusai Semiconductor Singapore Pte. Ltd.100.0%半導体製造装置事業

連結子会社 7社(有報に社名が載る主な会社は7社)。子会社の割合は議決権の所有割合(間接所有を含む)。上場していない子会社の売上・利益が載るのは連結売上の10%を超える会社だけで、従業員数と平均年間給与は有価証券報告書に載りません。

04

中期経営計画

会社が開示資料に書いたことを、そのまま引用しています。評価・予想・推奨は含みません。

中期経営計画

一次資料ベース

「その後、市場環境が大きく変化したことから、2026年5月に見直しを行い、2029年3月期までに当社グループの売上収益3,300億円以上、調整後営業利益率30%以上を達成することを目標としております。」

有価証券報告書【経営方針、経営環境及び対処すべき課題等】より

05

株主と配当

配当の方針、株主優待、大株主を、有価証券報告書の記載のまま並べています。評価・推奨ではありません。

KOKUSAI ELECTRICの配当政策

当社は、研究開発投資・設備投資の強化を最優先に、将来の事業展開のために必要な内部留保を確保しつつ、株主の皆様に対する安定的・継続的かつ積極的な利益還元を行うことを経営の重要課題と考え、連結配当性向20%から30%程度を目安に剰余金の配当を行っていくことを予定しております。加えて、ネットキャッシュ(注1)がプラスに転換した後は、さらなる株主利益と資本効率の向上に向け、有利子負債分割償還後フリー・キャッシュ・フロー(注2)の70%程度に相当する金額を配当及び自己株式取得に充当することをめざしてまいります。また自己株式については、消却を原則とし、株式報酬制度等により活用が見込まれる発行済株式総数の1%を上限に保有する方針といたします。

(注1)ネットキャッシュ=現金及び現金同等物-有利子負債(注2)有利子負債分割償還後フリー・キャッシュ・フロー=営業活動によるキャッシュ・フロー + 投資活動によるキャッシュ・フロー-有利子負債の分割償還額当社は、毎年3月31日を基準日とした期末配当、毎年9月30日を基準日とした中間配当のほか、基準日を定め剰余金の配当をすることができる旨を定款に定めております。また、会社法第459条第1項各号に定める事項については、法令に特段の定めがある場合を除き、取締役会の決議によって剰余金の配当を行うことができる旨を定款に定めており、剰余金の配当を行う場合は、期末配当及び中間配当の年2回を基本方針としております。

有価証券報告書【配当政策】より(2026年6月提出)

1株配当と配当性向

KOKUSAI ELECTRICの1株配当と配当性向の推移
年度1株配当(円)配当性向(%)
2020513.02148.0
20231113.8
20243728.3
20253737.7

有価証券報告書【主要な経営指標等の推移】より。株式分割をした年は、有報の1株配当が分割の前後で遡って直されていないため、前の年と並べて比べられません。

KOKUSAI ELECTRICの株主優待

2026年6月提出の有報

「株主に対する特典」は「該当事項はありません。」と記載されています。

有価証券報告書【提出会社の株式事務の概要】「株主に対する特典」の記載です。提出日時点の内容で、その後に変わっていることがあります。最新の内容は会社の発表で確かめてください。

KOKUSAI ELECTRICの大株主(上位10名)

2026年3月末
KOKUSAI ELECTRICの大株主
順位株主持株比率(%)
1日本マスタートラスト信託銀行株式会社(信託口)13.23
2KKR HKE INVESTMENT L.P.10.57
3STATE STREET BANK AND TRUST COMPANY 5050019.99
4BNYM AS AGT/CLTS 10 PERCENT5.18
5Qatar Holding LLC4.93
6株式会社日本カストディ銀行(信託口)4.85
7THE CHASE MANHATTAN BANK, N.A. LONDONSECS LENDING OMNIBUS ACCOUNT(常任代理人 株式会社みずほ銀行))2.94
8JPMSPLC CLIENT ASSETS SK JPY2.61
9JPモルガン証券株式会社2.09
10GIC PRIVATE LIMITED-C1.98

有価証券報告書【大株主の状況】より。持株比率は、発行済株式(自己株式を除く)に対する割合です。上位10名の合計は58.37%。信託銀行の名義には、投資信託や年金などの資金がまとめて入っています。

06

主要な指標の推移(最大14期)

表示する指標をチェックで選べます。逆算 が付く指標は、開示値から計算したものです。

表示する指標を選ぶ(5 / 47)閉じる

選択中 5 指標 / 候補 47 指標(有価証券報告書・決算説明資料・逆算)

損益

財務

資本効率

キャッシュ

株主還元

人的資本

投資

← 横にスクロールできます →

主要な指標の推移
指標20122013201420152016201720182019202020212022202320242025
売上収益億円———————6761,7802,4542,4571,8082,3892,351
営業利益億円——————————561307513418
営業利益率%——————————22.817.021.517.8
当期利益億円———————79330513403224360301
EPS円———————34.2143.4222.8174.996.8154.6129.0

空欄は「未収録」です。会社が開示していないか、まだ読み込んでいないかのどちらか。推計値では埋めません。

推移は、有価証券報告書の冒頭にある【主要な経営指標等の推移】から5期分ずつ取っています。売上高・経常利益・純利益・純資産・総資産・自己資本比率・1株情報・従業員数などが1つの表に並んでいるので、3期分の有報で最大14期そろいます。

07

人的資本

有価証券報告書の【従業員の状況】から取れる数字と、そこからの逆算。投資の観点でも、企業研究の観点でも同じ表を見ることになります。

1人当たり売上高90.1百万円2025年度・逆算
1人当たり営業利益16.0百万円2025年度・逆算
平均年齢44.1歳2025年度
平均勤続年数18.0年2025年度

平均年間給与は提出会社(単体)ベースです。連結全体の数字ではありません。従業員数は連結ベースなので、この2つは母集団が違います。割り算をするときはその点に注意してください。

KOKUSAI ELECTRICの女性管理職比率・男性の育休取得率・男女の賃金の差異

女性管理職比率7.0%2025年度業種の中央値 5.1%(電気機器179社)2023:4.2 2024:5.6 2025:7.0
男性の育児休業取得率82.9%2025年度業種の中央値 83.0%(電気機器170社)2023:65.5 2024:68.2 2025:82.9
男女の賃金の差異78.3%2025年度業種の中央値 71.6%(電気機器184社)2023:76.4 2024:78.1 2025:78.3
女性役員比率30.0%2025年度業種の中央値 15.2%(電気機器200社)2023:18.2 2024:18.2 2025:30.0役員10名のうち女性3名

女性管理職比率・男性の育児休業取得率・男女の賃金の差異は、2023年3月期の有報から【従業員の状況】に載るようになった数字です。提出会社(単体)の値で、公表の義務が無い会社は記載していないことがあります。

男女の賃金の差異は、男性の平均賃金を100としたときの女性の平均賃金です。職種や役職の構成の違いを含んだ平均どうしの比べなので、同じ仕事の賃金の差ではありません。男性の育児休業取得率は、その年度に配偶者が出産した人の数で割るため、100%を超えることがあります。

08

会社の概要と沿革

代表者
代表取締役社長執行役員 塚田 和徳
本店の所在地
東京都千代田区大手町一丁目9番5号
決算期
3月
市場・業種
東証プライム / 電気機器
役員
10名(うち女性3名)

有価証券報告書の表紙と【役員の状況】より(2026年6月提出)。

KOKUSAI ELECTRICの沿革

  1. 前述のとおり、当社は、日立国際電気における成膜プロセスソリューション事業が前身となります。日立国際電気は2018年3月に東京証券取引所市場第一部上場廃止となり、HKEホールディングスは2018年5月に日立国際電気を子会社化いたしました。その後、2018年6月に日立国際電気が会社分割を行い、同社の成膜プロセスソリューション事業をHKEホールディングスが承継し、同時にKOKUSAI ELECTRICに商号変更して現在に至っております。
  2. 以下では、日立国際電気の設立から公開買付けによる上場廃止までと、同社の上場廃止から現在に至るまでを2つの表に分けて記載しております。
  3. (株式会社日立国際電気の設立から公開買付けによる上場廃止まで)
  4. 1949年11月日本政府の委託により第二次世界大戦の終戦まで外地向け通信施設の建設保守業務を担当していた国際電気通信株式会社の総合自家用工場(狛江工場)を母体として、電気通信機器及び高周波応用機器の製造販売を主目的とする国際電気株式会社を設立
  5. 1956年4月ゲルマニウム、シリコン単結晶引上装置を受注し、半導体製造装置事業を開始
  6. 1961年9月国際電気株式会社が東京証券取引所に上場(同年10月 市場第一部銘柄に指定)
  7. 1971年3月アメリカのデラウェア州に現地法人Kokusai Electric Co., of Americaを設立
  8. 1977年3月ドイツのデュッセルドルフに現地法人Kokusai Electric Europe GmbH(現 Kokusai Semiconductor Europe GmbH)を設立
  9. 1989年2月国際電気システムサービス株式会社(現 株式会社国際電気セミコンダクターサービス)を設立
  10. 1989年5月富山事業所操業開始
  11. 1991年8月富山事業所・トレーニングセンター開設
  12. 1993年5月大韓民国天安市に現地法人 Kook Je Electric Korea Co., Ltd.を設立
  13. 1996年9月台湾に亜太國際電機股份有限公司(現 Kokusai Electric Asia Pacific Co., Ltd.)を設立
  14. 1997年5月Kokusai Electric America, Inc.を持株会社に改組し、Kokusai Semiconductor Equipment Corporationを設立して半導体製造装置関連業務を移行
沿革の続き(あと30件・2026年まで)
  1. 2000年10月国際電気株式会社・日立電子株式会社・八木アンテナ株式会社が合併し、株式会社日立国際電気に商号変更
  2. 2001年4月国際電気システムサービス株式会社が通信・情報部門を日立電子システムサービス株式会社に営業譲渡し、株式会社国際電気セミコンダクターサービスに商号変更
  3. 2002年5月亜太國際電機股份有限公司(現 Kokusai Electric Asia Pacific Co., Ltd.)が、Kokusai Electric Asia Pacific Shanghai Ltd.(現 科意半導体没備(上海)有限公司(KE Semiconductor Equipment (Shanghai) Co., Ltd.))を設立
  4. 2003年3月米国現地法人Kokusai Semiconductor Equipment CorporationがKokusai Electric America, Inc.を吸収合併
  5. 2003年3月連結子会社であったKook Je Electric Korea Co., Ltd.の公募増資により持分法適用関連会社化 Kook Je Electric Korea Co., Ltd.はKOSDAQ市場に上場
  6. 2006年5月Kokusai Electric Asia Pacific Shanghai Ltd.に追加出資し、Hitachi Kokusai Electric (Shanghai) Co., Ltd. (現 科意半導体没備(上海)有限公司(KE Semiconductor Equipment (Shanghai) Co., Ltd.))に商号変更
  7. 2008年5月Kokusai Electric Europe GmbHとHitachi Kokusai Electric Europe GmbHが合併し、Hitachi Kokusai Electric Europe GmbHに商号変更
  8. 2009年3月株式会社日立製作所の連結子会社となる
  9. 2010年9月持分法適用関連会社であったKook Je Electric Korea Co., Ltd.を株式の追加取得により連結子会社化 同社の子会社Fusionaid Co., Ltd.についても連結子会社化
  10. 2010年11月Kook Je Electric Korea Co., Ltd.平澤工場を建設
  11. 2011年10月Kook Je Electric Korea Co., Ltd.がFusionaid Co., Ltd.を吸収合併 Kook Je Electric Korea Co., Ltd.天安工場を拡張
  12. 2015年2月連結子会社であったKook Je Electric Korea Co., Ltd.の株式を公開買付 その結果、Kook Je Electric Korea Co., Ltd.はKOSDAQ市場上場廃止
  13. 2015年9月Hitachi Kokusai Electric Europe GmbHを新設分割し、新設分割設立会社をHitachi Kokusai Electric Europe GmbHとするとともに、分割会社をHitachi Kokusai Semiconductor Europe GmbH(現 Kokusai Semiconductor Europe GmbH)に商号変更
  14. 2016年1月公開買付け等により連結子会社であったKook Je Electric Korea Co., Ltd.の全ての株式を取得し、完全子会社化
  15. 2017年2月Kohlberg Kravis Roberts & Co. L.P.を成膜プロセスソリューション事業の分割による売却先に選定し、Kohlberg Kravis Roberts & Co. L.P.が特別目的会社であるHKEホールディングス合同会社を東京都千代田区丸の内に設立
  16. 2017年11月富山事業所剱館完成
  17. 2017年12月HKEホールディングス合同会社からHKEホールディングス株式会社に組織変更 HKEホールディングス株式会社が株式会社日立国際電気の公開買付けを実施し、成立
  18. 2018年3月株式会社日立国際電気が東京証券取引所市場第一部上場廃止
  19. (株式会社日立国際電気の公開買付けによる上場廃止以降、現在に至るまで)
  20. 2018年3月HKEホールディングス株式会社が株式会社日立国際電気からKook Je Electric Korea Co., Ltd.の全ての株式を取得し、完全子会社化
  21. 2018年5月HKEホールディングス株式会社が株式会社日立国際電気を完全子会社化
  22. 2018年6月会社分割により、株式会社日立国際電気の成膜プロセスソリューション事業をHKEホールディングス株式会社が承継し、株式会社KOKUSAI ELECTRICに商号変更 当社の完全子会社となった株式会社日立国際電気の普通株式を20%ずつ、株式会社日立製作所及びHVJホールディングス株式会社へ売却し、非連結子会社化 本店を東京都千代田区丸の内から東京都千代田区神田へ移転
  23. 2020年2月当社が株式会社日立国際電気の全株式をHVJホールディングス株式会社に売却し、株式会社日立国際電気を非子会社化
  24. 2021年9月その他資本剰余金99億円を資本金に振替、資本金100億円となる無償増資を実施
  25. 2022年12月新しい企業理念として「KOKUSAI ELECTRIC Way」を制定
  26. 2023年10月東京証券取引所プライム市場に上場 これに伴い、ケイケイアール・エイチケーイー・インベストメント・エルピー(KKR HKE INVESTMENT L.P.)が当社の親会社からその他の関係会社に変更
  27. 2024年2月シンガポールに現地法人Kokusai Semiconductor Singapore Pte. Ltd.を設立
  28. 2024年7月KKR等を売出人とする当社普通株式の売出し
  29. 2024年10月砺波事業所操業開始
  30. 2025年3月横浜テクノロジーセンタ操業開始
  31. 2026年1月本店を東京都千代田区神田から東京都千代田区大手町へ移転

有価証券報告書【沿革】より(2026年6月提出・S100YJUA)。会社が書いたとおりに載せています。

電気機器で規模の近い会社

売上収益の最新の値が近い順に6社。電気機器の225社から選んでいます。

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出典と収録状況

数値はすべて会社が公表した資料に紐づけています。出典のない数値はこのページに載せません。

一次資料 開示資料に記載のある値 逆算 開示された値から計算した値 デモ 画面確認用の仮データ

  1. 有価証券報告書 計3本(EDINET)から収録。1本に5期分の【主要な経営指標等の推移】が載るため、重複する年度は新しい報告書の値を採用している。docID: S100TV4Y、S100W60T、S100YJUA一次資料

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